روشهای ساخت بلوردر ساخت قطعات
یکی از مهمترین و متنوع ترین روشهای رشد بلور که در ساخت قطعات کاربرد دارد، رشد
یک لا یه نازک بلور روی ویفر از یک بلور همسان است . بلور بستر می تواند ویفری از همان
جنس ماده لایه رشد داده شده و یا ماده دیگری با ساختمان مشابه باشد . در این فرآیند بستر مانند
یک دانه بلور است، که روی آن ماده بلوری جدید رشد می یابد . این روش لایه نشانی ، روش
رشد اپی تکسی نامیده می شود . روشهای رشد اپی تکسی در سالهای گذشته باعث کاهش تلفات تا
1 شده و توانایی ساخت موجبرهای اپتیکی مجتمع را نیز افزایش داده dB / cm حد کمتر از
است.
Epitaxy
LPE روش
ساخت دیودهای لیزری
ترکیب لایه اپی تکسی به ترکیب ماده مذاب ، به درجه حرارت و جهت بستر بستگی دارد
ضخامت لایه روکش شده به اندازه مواد مذاب ، سرعت سرد شدن ، زمان رشد و درجه ضخامت لایه اپی تکسی و یکنواختی آن در طول ویفر، LPE سرد شدن بستگی دارد . در روش مخصوصا زمانی که لایه ها ضخیم بوده و صافی سطح کم باشد، به سخ تی قابل کنترل است . این مشکل با افزایش اندازه نمونه بیشتر شده و لذا این روش برای نمونه های کوچک مناسب است . ضمنا تلفات این روش از روشهای دیگر اپی تکسی بیشتر است.
در روش رشد vpe از انتقال کلرید از عناصر گروه سوم استفاده می شود . این روش GaAs خالص و لایه های اپی تکسی InP بسیار مناسب است . با توجه به اینکه انتقال کلرید نیازمند وجود راکتور با دیواره داغ است ، ترکیبات Al در این سیستم نمی توانند استفاده شوند ، پس این سیستم به سیستم رشد GaAs روی GaAs محدود می شود
VPE کنترل خوبی روی ضخامت لایه اپی تکسی ایجاد کرده و یکنواختی و صافی سطح آن برای ویفرهای بزرگ نیز خوبست . در این روش ، رشد موضعی در روزنه های لایه دی الکتریک ، حتی در ابعاد میکرومتری نیز امکانپذیر است .
روش MOCVD
این روش نیز همانند روشVPE با این تفاوت که از حباب راکتور با دیواره سرد استفاده می کند. بنابراین قادر به رشد ترکیبات آلومینیم نیز هست.
روشMOCVD یک روش کارامد است که کنترل خوبی روی ضخامت لایه و یکنواختی و صافی سطح برای حد فاصلهای از نوع مختلف ایجاد می کند . رشد انتخابی یاموضعی نیز با استفاده از این ر وش امکان پذیر است. میزان افت در روش MOCVD کم است.
MBE روش
یک روش با خلاء بسیار زیاد
پایه ای که بستر روی ان قرار گرفته ، بصورت مداوم با سرعت مشخصی دوران می کند ، تا لایه ایجاد شده روی آن یکنواخت بوده و درصد اتمهای نشسته روی آن متناسب باشد . دریچه سد کننده بستر نیز ، همانند محفظه های دیگر ، از نشست بخارات ناخالص در دقایق اولیه لایه نشانیجلوگیری م ی کند . ضمنا در این دستگاه هر تنور ریزش ، یک دریچه مسدود کننده دارد که در صورت نیاز می تواند بسته یا باز بوده و نسبت ترکیبات را تعیین کند.