تارا فایل

پاورپوینت حسگرها دریابه و مبدل ها


حسگرها (دریابه)و مبدل ها
Sensors & Transducer

حسگر یا مبدل
هر دو از اجزاء وسایل اندازه گیری هستند

هر دو کمیتی فیزیکی را به شکل قابل استفاده ای تبدیل می کنند

حسگر اینکار را بدون دریافت انرژی خارجی انجام می دهد ولی مبدل با دریافت انرژی خارجی!!

تعاریف دیگر از ترانسدیوسر
انرژی را از شکلی به شکل دیگر تبدیل می کنند
تبدیل انرژی الکتریکی، نیوماتیکی، هیدرولیکی و غیره به نیروی مکانیکی یا تغییر مکان که در این صورت به آنها ترانسدیوسر های خروجی یا Activator می گویند
گاهی به ترانسدیوسر های ورودی سنسور اطلاق می شود
تبدیل دما ، فشار، و کلیه پارامتر های حالت به علائم الکتریکی

انواع مبدل
کمیتهای غیر الکتریکی به الکتریکی (4 تا 20 میلی آمپر) یا 5 – 1 ولت
شکل ولتاژی معمولاً ارجح است
کمیتهای غیر الکتریکی به پنوماتیکی
پنوماتیکی به الکتریکی
الکتریکی به پنوماتیکی
مبدل های الکتریکی به دلایل زیر ارجح تر هستند
اصطکاک و اینرسی در خروجی انها تاثیر ندارد
تقو یت سیگنال با سهولت انجام می شود
ثبت، نمایش و انتقال سیگنال تسهیل می شود

مبدل کمیتهای غیر الکتریکی به الکتریکی
تغییر کمیت های مختلف ( تغییر مکان، درجه حرارت، فشار و ….) به تغییرات علائم الکتریکی (4 تا 20 میلی آمپر)
بسته به نوع کمیت اولیه می توان آنها را به حرکت مکانیکی تبدیل و نهایتا به علائم الکتریکی تبدیل نمود.

روشهای تبدیل حرکت مکانیکی
خواص الکتریکی
مقاومت
ظرفیت
سلف
فشار
سطح مایع
دما
رطوبت
نیرو

استفاده از تغییر مقاومت یا استرین گیج Strain Gauge
مقاومت هادی با طول رابطه خطی مستقیم و با سطح مقطع رابطه معکوس دارد:

با کشیدن سیم مقاومت از طریق افزایش طول و کاهش سطح مقطع افزایش می یابد
جهت بهبود بازده سیم مقاومت را روی ورق نازک پلاسیکی می چسبانند (قطر سیم حدود 1 هزارم اینچ)
مقاومت معمول هر استرین گیج حدود
30 Ω to 3 kΩ (unstressed).
جهت اندازه گیری دقیق باید از تغییرات کم مقاومت استفاده نمود و به صورت پل

بدلیل متداول بودن در اندازه گیری کرنش (Strain) به آنها Strain gauge می گویند
برای تغییر طول نسبی در اثر تنش ، نیرو، فشار و یا حرارت
متشکل از سیم مقاومتی ظریف به صورت رفت و بر گشتی
رابطه حاکم

مقدار تغییر در مقاومت را می توان به تنش نیز مرتبط نمود
تغییر فرم در استرین گیج باید تا حد الاسیک باشد
برای اینکه تغییر مقاومت قابل اندازه گیری باشد باید طول سیم حساس زیاد باشد
فاکتور گیج بالا (ایجاد کم کرنش سبب تغییرات زیاد در مقاومت)
سطح اشغال شده کم باشد تا بتوان به کرنش نقطه ای نزدیک شد
بصورت حکاکی و مارپیچی

ضریب گیج gage factor
بیانگر مقدار تغییر در مقاومت گیج به تغییر طول
R: مقاومت اولیه گیج (بدون اعمال کرنش)
R: تغییر در مقاومت
L: طول گیج
L: تغییر در طول گیج
: مقدار کرنش
G : فاکتور گیج که حدوداً 2 برای لایه فلزی و تا 20 برای لایه ضخیم و نیمه هادی
مواقعی با K نشان داده می شود

استرین گیج به صورت پل
چون مقادیر تغییرات خروجی کم است مناسبترین روش اندازه گیری پل است
استفاده از پل مقاومتی (DC ) (تقسیم کننده موازی ولتاژ)
پل امپدانسی (AC, DC ) مقاومت، خازن و سلف
بر خلاف پل وتسون که باید با تغییر مقاومت حالت بالانس بر قرار نمود در پل S.G. مقدار خارج از بالانس توسط ولت متر که در وسط پل قرار می گیرد، اندازه گیری می شود
قبل از اندازه گیری باید تعادل بر قرار شود
استفاده از پتانسیومتر

استرین گیج
A thin plastic base supports thin ribbons of metal, joined in a zig-zag to form one long electrically conductive strip. The entire device is typically 10 mm long, with 16 or more parallel metal bands.

the rheostat arm of the bridge (R2 in the diagram) is set
at a value equal to the strain gauge resistance with no force applied.
The two ratio arms of the bridge (R1 and R3) are set equal to each other
ٌ with no force applied to the strain gauge, the bridge will be
symmetrically balanced and the voltmeter will indicate zero volts,
representing zero force on the strain gauge.
مقاومت سیمها سبب گرم شدن مدار گشته و لذا اندازه گیری با خطا همراه خواهد بود
= 4V/ Ek
E

Resistors R1 and R3 are of equal resistance value,
and the strain gauges are identical to one another.
With no applied force, the bridge should be in a perfectly balanced condition and the voltmeter should register 0 volts.
Both gauges are bonded to the same test specimen, but only one is placed in a position
and orientation so as to be exposed to physical strain (the active gauge).
The other gauge is isolated from all mechanical stress, and acts merely
as a temperature compensation device (the "dummy" gauge).
If the temperature changes, both gauge resistances will change by the same percentage,
and the bridge's state of balance will remain unaffected.
Only a differential resistance (difference of resistance between the two strain gauges)
produced by physical force on the test specimen can alter the balance of the bridge.

However, if we were to take the upper strain gauge and position it so that it is exposed to
the opposite force as the lower gauge (i.e. when the upper gauge is compressed,
the lower gauge will be stretched, and visa-versa), we will have both gauges responding
to strain, and the bridge will be more responsive to applied force. This utilization is known
as a half-bridge. Since both strain gauges will either increase or decrease resistance by
the same proportion in response to changes in temperature, the effects of temperature
change remain canceled and the circuit will suffer minimal temperature-induced
measurement error:

When possible, the full-bridge configuration is the best to use. This is true not only
because it is more sensitive than the others, but because it is linear
while the others are not. Quarter-bridge and half-bridge circuits provide an
output (imbalance) signal that is only approximately proportional to applied
strain gauge force. Linearity, or proportionality, of these bridge circuits is best when
the amount of resistance change due to applied force is very small compared to
the nominal resistance of the gauge(s). With a full-bridge, however, the output voltage
is directly proportional to applied force, with no approximation (provided that the change
in resistance caused by the applied force is equal for all four strain gauges!).

طرز استفاده از استرین گیج

ویژه گیهای کرنش سنج خوب
رابطه بین تغییرات مقاومت و تغییرات کرنش خطی باشد
مقاومت کرنش سنج کم ولی حساسیت به کرنش بالا باشد
قیمت ان کم و کاربرد ان آسان باشد
اندازه فیزیکی و جرم ان کم باشد
انعطاف پذیر باشد تا بدون ایجاد تنش اضافی در کرنش سنج روی قطعه نسب گردد.حساسیت کمتر به عوامل محیطی مثل دما
توانایی اندازه گیری استاتیک و دینامیک
پایداری بالا، خطی بودن و پسماند کم

پتانسیومتر ها
برای اندازه گیری جابجایی ناشی از سرعت، شتاب، نیرو و فشار (در مقیاس بزرگتر)
متشکل از عناصر مقاومتی حاوی اتصال متحرک لغزان
مقاومت متشکل از سیمی با مقاومت زیاد ( مثل نیکروم)
نصب روی پایه ثابت
مقاومت متغیر بین یک انتهای سیم پیچ و اتصال لغزان
حرکت اتصال لغزان ممکن است خطی، چرخان و حتی مارپیچی
محدوده حرکت
خطی بین 5 تا 1000 میلی متر
گرد یا دورانی از 10 درجه تا 60 دور ( 20000 درجه)
اگر چه تلاش می شود خروجی آنها خطی باشد ولی می توان نشان داد که با افزایش جابجایی غیر خطی بودن نمایان می شود
اگر مقاومت ناشی از جابجایی حدود 10% مقاومت کل باشد خطای ناشی از غیر خطی بودن حدود 5/1 %
در حداکثر جابجایی حدود 12%

رزولوشن پتانسیومتر
در نوع سیم پیچی شده (wirewound)تغییرات مقاومت ناشی از حرکت لغزنده به صورت پله ای است (حرکت از یک دور به دور بعد(
حداکثر رزولوشن 40 ± میکرومتر است
در نوع لایه کربنی (کرمت cermet) مخلوط سرامیک و فلز و یا پلاستیک هادی (مخلوط رزین پلاستیک و پودر فلز)
اصطلاحاً دارای رزولوشن بی نهایت هستند ( غیر پرشی)
مقدار رزولوشن نامشخص
بستگی به یکنواخت بودن ساختمان آنها
نمی توانند جریانهای عبوری زیاد را تحمل کنند
نوع هیبرید
مزایای هردو
لایه ای از پلاستیک هادی بر روی سیم پیچ

استفاده از پتانسیو متر (Rheostat) بعنوان مبدل تغییر مکان به علائم الکتریکی
با اتصال اهرم رئوستا به قطعه مورد نظر حرکات قطعه را می توان بوسیله تغییر مقاومت اندازه گیری نمود .
تغییر مقاومت به صورت تغییر ولتاژ خروجی می گردد.
ولتاژ بین نقاط 1 و 2 متناسب با تغییر مکان است
مقاومت مورد استفاده ممکن است خطی یا حلقوی باشد

ترانسدیوسر های تغییر مکان خازنی
ظرفیت خازن در اثر جدا کردن دو جسم هادی توسط یک عایق دی الکتریک حاصل می شود
وقتی به دو سر خازن ولتاژ اعمال شود بار Q ± روی دو طرف خازن قرار می گیرد
ظرفیت خازن عبارتست از نسبت
C=Q/V
C=0  (A/d)
0 : ضریب دی الکتریک خلاء 8.85 e-12 F/m
 : ضریب دی الکتریک ماده

استفاده از تغییر ظرفیت برای مبدل تغییر مکان به علائم الکتریکی
رابطه مورد استفاده:
تغییر مکان

تغییر موقعیت ماده دی الکتریک
تغییر فاصله بین صفحات
تغییر سطح موثر صفحات خازن
مناسب تغییر مکان های کوچک ناشی از تغییرات فشار و شتاب
(کمتر از 1 میلی متر)
در عمل انواع دو صفحه ای به دلیل خروجی غیر خطی مناسب نیست
استفاده از سه صفحه ای و یا تفاضلی

معادل LVDT در القایی
به جای دو سیم اتصال سه سیم وجود دارد یکی به صفحه
مشترک و دوم سیم دیگر هر یک به صفحه های مجزا
اضافه شدن ظرفیت در یک طرف معادل
کم شده در طرف دیگر است
این نوع مبدل به صورت پل عمل می کنند
خروجی ظرفیت در مقیاس پیکو فاراد است (کمتر از 1000pF یا (1nF)
برای افزایش ظرفیت خروجی و عکس العمل سریع باید فرکانس مدار تغذیه را زیاد کرد (بیشتر از 100 kHz)
شدیداً حساس به تغییرات رطوبت (نیاز به اب بندی در محفظه خلاء)

مبدلهای خازنی تفاضلی
عدم نیاز به اتصال متحرک
نیاز به اتصال متحرک

رفتار مبدل های جابجایی خازنی
دو صفحه ای
غیر خطی
با تغییر d تغییر C بصورت هیپربولیک است
حساسیت (C/ d) متناسب با 1/d2 است
سه صفحه ای (تفاضلی)
خروجی خطی
اگر در حالت تعادل C1=C2 باشد و فاصله در دو طرف d باشد و جابجایی x در صفحه مشترک صورت گیرد ظرفیت ها بصورت:
C1=0  (A/(d+x)) C2=0  (A/(d-x))
اگر ولتاژ اعمال شده Ve ، ولتاژ خروجی بصورت خطی تغییر خواهد کرد:

در این صورت حساسیت سیستم Vout / x بطور معکوس با d متناسب است

اندوکتانس با ضریب هدایت مغناطیسی هسته آن متناسب است.
مزیت: عدم نیاز به کنتاکتور لغزنده در پتانسیومتر
ضعف: فقط با جریان AC کار می کنند
در این مبدلها از تغییرات خواص مغناطیسی مدارهای الکتریکی در اثر جابجایی اجسام یا هر حرکت مکانیکی ( تغییر مکان) استفاده می شود.
مبدلهای خود القایی با یک یا دو سیم پیچ
Variable self inductance T
مبدل های القاء متقابل Variable mutual inductance
دو سیم پیچه
سه سیم پیچه
مبدل های مقاومت متغییر Variable reluctance
استفاده از تغییر اندوکتانس در سلف Inductive Transducers

خاصیت خود القایی
L: ضریب القایی بر حسب هانری
N: تعداددور سیم پیچ
l: طول متوسط سیم پیچ
: نفوذ پذیری مغناطیسی هسته
A: سطح مقطع سیم پیچ

مرور مدار مغناطیسی
از بسیاری جهات مثل مدار الکتریکی است (MMF متناظر با ولتاژ که باعث جاری شدن فلوی مغناطیسی می شود)
V=I.R MMF=. = ni
می توان نشان داد که خود القایی L تابعی از رلاکتانس  است L=(n2/ )
رلاکتانس نیز :
= (l / A)
ایجاد فاصله هوایی باعث تغییر رلاکتانس و در نتیجه تغیر فلوی مغناطیسی می شود
مثال دور شمار مغناطیسی که فرکانس سیگنال خروجی با دور متناسب است

مدار ساده القایی
با تغییر مکان هسته permeability مسیر شار تغییر کرده و ضریب القایی تغییر می کند
با اعمال ولتاژ متناوب به دو سر
سیم پیچ با حرکت هسته بداخل سیم پیچ
جریان افزایش می یابد
مقاومت (امپدانس) مدار: xL=L یا = 2L
حرکت هسته می تواند خروجی هر نوع
مبدل مکانیکی مثل مبدل فشار
تغییر مکان باشد

اندازه گیری استاتیکی از نوع
رلاکتانس متغیر
اندازه گیری دینامیکی از نوع
Linear Displacement Transducer , LDT
Variable Mutual inductionالقاء متقابل

ترانسفورماتور تفاضلی متغیر خطی (LVDT) LINEAR VARIABLE DIFFERENTIAL TRANSFORMER
متشکل از یک سیم پیچ اولیه و دو ثانویه که به صورت سری مخالف بسته می شوند و یک هسته متحرک.
اولیه توسط منبع ولتاژ AC تغذیه می شود
وقتی هسته در وسط قرار دارد ولتاژ القایی در ثانویه ها برابر و ولتاژ خروجی صفر خواهد بود
با حرکت هسته ولتاژ خروجی به صورت
vout= v1 –v2 تغییر می کند
ولتاژ خروجی در محدوده های کوچک جابجایی خطی است
vout= Cd
C : ضریب زاویه منحنی مشخصه مبدل

مناسب حرکت خطی و شبه دورانی

پایه تئوری LVDT
ولتاژ سینوسی V(t)=Vmax sin(t)
VA = kA sin(t-)
VB = kB sin(t-)
اختلاف فاز بین سیم پیچ اولیه و دو سیم پیچ ثانویه است
kA و kB ضرائب تبدیل مربوط به کوپلینگ بین اولیه و ثانویه است
در حالت تعادل kA و kB برابر هستند در نتیجه دو ولتاژ ثانویه برابر و ولتاژ خروجی صفر خواهد بود
در غیر حالت تعادل
Vout = )kA- kB( sin(t-)
ولتاژ خروجی می تواند یکسو شود و یا اینکه به صورت RMS نمایش داده شود

Linear Variable Differential Transformers are ideal for applications in harsh industrial environments such as high temperature and pressure applications, dynamic applications and long term cycles.

دو سر وسط عموماً اولیه هستند
با ولتاژ حدود 24 ولت کار می کنند
فرکانس بین Hz 50 تا kHz 25
معمولاً سیگنال خروجی دستگاه به DC تبدیل می شود
برای محدوده حرکتی از 25/0 تا 500 میلی متر
نسبتاً گران و برای کار های تحقیقاتی

میله فریتی

مبدل های مکانیکی
برای تبدیل کمیت های فیزیکی (نیرو، فشار، دما، رطوبت،..) به حرکت مکانیکی و جابجایی
با توجه به اینکه میدان اندازه گیری کمیتهای فوق ( در صنعت و کلاً همه امور) بسیار وسیع می باشد، حس کردن هر یک از آنها در تمام محدوده آنها با یک حسگر امکان پذیر نیست
محدوده ها به نواحی کوچکتر تقسیم و در هر مورد حسگر مخصوص استفاده می شود

مبدل فشار به تغییر مکان (فانوس Bellow )

لوله های بوردون
همراه با پتانسومتر برای تشخیص جابجایی
بطور محسوس رفتار غیر خطی
خطای هیسترزیس (1 تا 2 % انحراف کامل)
تا فشار های (psi 100000)
برای فشار های کم (psi 1000) نوع مارپیچی و یا تابیده spiral
جابجایی بیشتر ایجاد می کنند
بالاترین دقت قابل حصول 1/0 %

فانوسBellow
خطی تر از لوله بوردون
برگشت پذیر ( هیسترزیس کم)
برای حس کردن فشار (در سیستم های پنوماتیک)
متشکل از حلقه های فلزی کنار هم
مجهز به فنر (Range Spring) مختلف
جهت محدوده های مختلف
مجموعه فنر و فانوس به گونه ای باید انتخاب شوند
که به صورت خطی عمل کند

2- نمایشگر (حسگر) سطح مایعات
ساده ترین سنسور
با تغییر اتصالات مکانیکی می توان
دقت و حساسیت حسگر را با لا برد
کاربرد در کولر ها، مخازن مواد شیمیائی
باک سوخت و کاربراتور

3- دور سنج های مکانیکی
در واقع مبدل شتاب (نیرو) به تغییر مکان است
R2
به عنوان دور سنج در پمپ انژکتور (گاورنر) و دلکو

بعنوان کلید قطع و وصل در موتور کولر

تراندیوسر کمیت های فیزیکی به علائم پنوماتیکی
تبدیل کمیتهای مختلف ( تغییر مکان، درجه حرارت،…) به تغییرات فشار هوا ( از 3 تا 15 PSIG)

اصول کار
متشکل از فلاپر و نازل Flapper & nozzle
فلاپر به عنوان ورودی علائم مکانیکی
هوای تغذیه بطور استاندارد 20 PSIG یا 2.76 bar
فشار خروجی تابعی از فاصله فلاپر است (حداکثر 0.15 mm)
قطر Orifice حدود نیم میلی متر و قطر نازل دو برابر آن

ترانسدیوسر های پیزوالکتریک piezoelectric
تبدیل انرژی مکانیکی به الکتریکی piezo means pressure in Greek
پدیده ایجاد الکتریسیته از طریق اعمال فشار بر کریستال ها و تغییر ابعاد
اعمال فشار سبب پولاریزه شدن کریستال و ایجاد ولتاژ می گردد (مثل میکروفون های پیزوالکتریک)
اثر برگشت پذیر (اعمال ولتاژ به دو وجه روبرو باعث تغییر ابعاد ان می شود)
مواد پیزو الکتریک بصورت بلور یا سرامیک هستند
Electrets are solids which have a permanent electrical polarization. (These are basically the electrical analogs of magnets, which exhibit a permanent magnetic polarization).
این کریستال ها ساختمانی شبیه الکتریت ها (دوقطبی الکتریکِی) دارند
اعمال فشار سبب تغییر فرم دوقطبی ها گردیده به گونه ای که بارها کاملآ خنثی نمی شوند
کریستال کوارتز و نمک روشل خاصیت پیزو الکتریک دارند ولی اثر ان ضعیف است
ترکیبات پیزو الکتریک مصنوعی (سرامیک های فروالکتریک) اثر بیشتر
بر خلاف کریستال ها به هر شکلی و اندازه ای تولید می شوند
مخلوط هایی از تیتانات باریم، زیرکونات سرب و متانیوبات سرب

g حساسیت ولتاژ که به صورت نسبت میدان الکتریکی
تولید شده و فشار اعمال شده
این نسبت به جنس ماده و جهت بریده شدن کریستال بستگی دارد

ترانسدیوسر فتوالکتریک
جهت تبدیل پرتو های نوری به علائم الکتریکی
I=S
I: جریان فتو الکتریک (امپر)
: شدت رو شنایی تابیده شده به کاتد (لومن)
S: حساسیت بر حسب آمپر بر لومن
عوامل موثر
پوشش لامپ
طول موج پرتو ( اکثر مواد در محدوده
0.2 – 0.8 میکرون)
مناسب اندازه گیری شدت نور

ترانسدیوسرهای نور رسانا
با برخورد نور به بعضی نیمه رساناها مقاومت آنها کاهش می یابد
جریان در مدار زیاد می شود
بعنوان اندازه گیری تشعشع در تمام طول موج ها

ترانسدیوسر یا سلول های فتو ولتایی
متشکل از پایه فلزی، ماده نیمه رسانا و لایه نازک شفاف فلزی
در اثر تابش نور ولتاژ القاءمی شود
ولتاژ خروجی بستگی به مقاومت R ( تقریبا“ لگاریتمی)
در مقاومت های کمتر نزدیک به خطی می شود
اساس کار باتری های خورشیدی

ترانسدیوسر یونشی ionization Transducer
شامل لامپ گازی در فشار پایین، ژنراتور RF و صفحات تابشی
در اثر میدان RF ولتاژی در دو سر الکترود های لامپ ایجاد می شود که بستگی به تقارن صفحات نسبت به الکترود ها دارد
در حالت تقارن ولتاژ (dc) صفر است
وسیله ای مناسب برای اندازه گیری جابجایی

سنجش میدان مغناطیسی متغیر
سیم پیچ با N دور در میدان قرار می گیرد
ولتاژ خروجی:
E=N (d/dt)
سیگنال میدان مغناطیسی (متغیر) را به ولتاژ تبدیل می کند

ترانسدیوسر برای میدانهای ثابت
باید سیم پیچ در میدان حرکت نماید
از سیم پیچ نوسانی یا چرخان
B: چگالی شار بر حسب وبر بر متر مربع
A: مساحت حلقه بر حسب متر مربع
: سرعت زاویه ای ( رادیان بر ثانیه)

مثال: شدت میدان مغناطیسی را برای یک کلاف دوار با 10 دور ،
مساحت cm2 5 ، سرعت دورانی rpm 100 با ولتاژ mV 40 را مشخص کنید

ترانسدیوسر متکی بر اثر هال
میدان در جهت عمود بر صفحه
جنس صفحه باید از مواد نیمه رسانا باشد
I: آمپر
B: گوس
d: سانتی متر
برای مقادیر KH (ضریب هال) به کتاب هولمن مراجعه شود
برای آ نتیمونید ایریدیم که در ساخت اثر هال استفاده می شود برابر 20 ولت بر تسلا است
اساس کار:
اگر بر یک ماده هادی یا نیمه هادی
که حامل جریان الکتریکی است در جهت
عمود بر جریان، میدان مغناطیسی عبور
داده شود ولتاژ در جهت عرضی ایجاد می شود

کاربرد اثر هال
اندازه گیری دور با استفاده از چرخ دنده با دندانه های آهن ربایی
در سیستم ترمز های ABS
سیستم های کنترل کشش و لغزش در تراکتور

ترانسدیوسر جریان
مانند یک ترنسفورماتور میدان مغناطیسی در یک سیم هادی را متمرکز می کند
نیاز به یک Air Gap هست تا بتوان ترانسدیوسر اثر هال را در آن قرار داد
می توان جریان مستقیم و متناوب را اندازه گیری نمود

ترانسمیتر Transmitter
در واحد های بزرگ صنعتی و گلخانه ها تمام دستگاههای کنترل یا اندازه گیری را در اتاقی به نام اتاق فرمان یا مرکز کنترل قرار می دهند.
اندازه گیری و کنترل کلیه متغیرها توسط اپراتور انجام می گیرد
لازم است سیگنال ها و فرمانها از محوطه به اتاق کنترل و بر عکس منتقل شود
برای این منظور از ترانسمیتر ها در نقاط اندازه گیری استفاده می شود
از سه قسمت تشکیل می شود
در نوع الکتریکی و پنوماتیکی هستند ( انتقال از طریق سیم یا لوله)
عملکرد هر سه قسمت خطی است (تابع تبدیل انها ثابت است)
قسمت مبدل و تقویت کننده در تمام ترانسمیتر ها یکسان است ، فقط حس کننده فرق می کند
خروجی الکتریکی در 100 درصد تغییر در ورودی بین 4 تا 20 میلی آمپر و در پنوماتیکی بین 3تا 15 ، Psi تغییر می کند

تقویت کننده در ترانسدیوسرها
علائم خروجی از مبدلها به صورت ولتاژ، فرکانس، تغییر ظرفیت هستند
این علائم اکثراً بدلیل ضعیفی قابل استفاده برای کار انداز نیستند
باید تقویت شوند
در اکثر وسایل صوتی (بلند گو) آمپلی فایر ضروری است
امروزه مدارهای مجتمع IC این کار را به راحتی و به روشی ارزان انجام می دهند

استفاده از فیدبک منفی در مبدل ها
بمنظور پایداری در مبدل هایی که علاوه بر تبدیل علائم را تقویت نیز می کنند.
خنثی کردن بخشی از علائم ورودی به مبدل
با اینکار ضریب تقویت Gain مبدل کم می شود
با فید بک منفی به قیمت از دست دادن حساسیت پایداری آن زیاد می شود.


تعداد صفحات : 57 | فرمت فایل : ppt

بلافاصله بعد از پرداخت لینک دانلود فعال می شود